国家存储器基地核心厂房封顶 年产超百亿美元

2017年09月29日07:54  来源:荆楚网
 

  昨日,总投资240亿美元的国家存储器基地项目一期工程一号生产及动力厂房提前1个月封顶。项目预计明年投产,年产值将超100亿美元。

  项目位于光谷东部武汉未来科技城,占地面积1968亩,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。按照规划,基地将崛起3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash生产厂房。其核心厂房和设备,每平方米投资强度超过3万美元。

  紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国在现场表示,该项目实现了中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。

  研发人员介绍,无论智能手机、电脑、还是云计算应用,都需要海量数据存储,相比 2D闪存,3D NAND立体堆叠存储技术相当于立体停车场,性能更强,功耗更低,可靠性更高。

  提前封顶的核心厂房,建筑面积52.4万平方米。达产后,单月总产能将达到30万片,年产值超过100亿美元。从去年12月30日开工建设到提前封顶,只用了9个月。

  2015年,发展存储器上升为国家战略。武汉东湖高新区为国家存储器基地项目规划建设1100亩配套产业园区,以及1500亩国际社区用地,加快引进产业链顶级配套企业及国际化人才,努力打造世界级的集成电路产业创新中心。

  千亿战略背后的自主创“芯”梦

图为:昨日,国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房,实现提前封顶。(记者 张朋 摄)

  记者 李墨

  昨日,一马平川的光谷东。3座全球单体洁净面积最大的3DNANDFlash生产厂房崛起。8个大字格外醒目:自主创“芯”,产业报国。

  国家千亿存储器项目的实施,让武汉从“钢的城”,迈向“硅的城”。

  “工业粮食”自主供应

  集成电路是信息技术产业的核心,被称为“工业粮食”。长江存储科技有限责任公司总裁杨士宁介绍,国家存储器项目瞄准的目标,是实现国家“工业粮食”的自主供应。

  目前,我国生产的许多芯片,离世界级技术的差距在2到3代左右。而三维闪存(3DNAND)技术,差距在两代之内,是工艺和技术水平离世界前沿最近的一个产品。

  没有自己的存储器芯片,一旦国际上出现贸易封锁,国内手机厂商拿不到进口的存储芯片就会停产。“这不仅关系信息安全,也关系产业安全。”紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国说,在一些关键的集成电路领域,我们必须拥有一定的自主供应能力。

  他说,国家存储器基地建设,对于中国信息产业、互联网乃至整个电子工业的发展,不仅将解决现实问题,更将对全球产业局势起到平衡作用。

  由于芯片技术迭代极快,存储器基地建设可谓分秒必争。早在2年前,基地尚未启动时,核心研发便已悄悄开始。

  项目力争在2019年实现大规模生产,满产后能供应国内50%以上存储芯片需求。杨士宁形容,武汉存储芯片产业正在用3年时间,追赶别人6年走过的路。“如果等厂房建好再开始研发、试产,至少要晚3年。”

  拼搏赶超的武汉速度

  2016年12月1日,桩基进场。

  180天,完成第一根钢梁吊装。

  9个月,一期核心厂房封顶。

  截至目前,国家存储器项目已累计完成投资85亿元。而这仅仅是用5年时间锻造“大国重器”的开始。

  拼搏赶超,不仅仅在紧张的研发中心,也在成百上千的“安全帽”下。

  国家存储器基地项目服务专班负责人明铭介绍,开工至今90天,无论日晒雨淋,项目从未停工。为保障按时打下第一根桩,70天迁移迁改输油输气管线10公里。

  目前,项目周边未来二路、未来三路、长芯路均已具备通车条件;科技五路正在按计划节点加快施工。

  杨士宁说,芯片制造的产业拉动效应约为1:10。作为最大的集成电路单体投资项目,武汉基地投产后的放大效应将会更大。不久的将来,以千亿存储项目为龙头,光谷将打造一个“芯片—显示—智能终端”的万亿产业集群。(记者李墨、通讯员张珊妮、刘刚建)

(责编:张隽、关喜艳)

微信公众号
有多少事非得总理说了才能解决?
近来,还有许多事情记挂在总理心间,在他的敦促下也正逐步得到解决。但仍应反思:本应给群众方便的事情,为何非得总理说了才能解决呢?
←扫描二维码查看更多内容|每日为您展现更多有料内容