武汉国家存储器基地建设迈出坚实一步

2017年09月29日08:56  来源:长江日报
 
原标题:武汉国家存储器基地 建设迈出坚实一步

武汉市战略性新兴产业的龙头项目,武汉国家存储器基地建设,向前迈出坚实一步。9月28日,副省长周先旺、市长万勇前往武汉国家存储器基地专题调研战略性新兴产业发展情况,并见证该基地一期项目一号生产及动力厂房当天提前封顶。华中科技大学党委书记路钢参加调研。

武汉国家存储器基地是去年我市获批的四个国家新基地之一。我市正依托国家存储器基地、国家航天产业基地、国家智能网联汽车和新能源汽车基地、国家网络安全人才与创新基地,加快培育战略性新兴产业,积极壮大发展新动能。目前,四个国家新基地所规划和引进的项目,都在紧锣密鼓推进实施中,建设进展良好。

据了解,武汉国家存储器基地是去年2月国务院批复的全国首家国家存储器基地,规划建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash生产厂房。此次提前封顶的一号生产及动力厂房,建筑面积52.4万平方米,设计产能10万片/月,预计2018年投入使用,当年3季度量产。预计到2022年,3座生产厂房全部达产后,产能将达到30万片/月,成为世界一流的存储器生产基地。不久的将来,以国家存储器基地为龙头,将形成“芯片—显示—智能终端”万亿产业集群。

为加快推进基地建设,我市为国家存储器基地项目规划配套产业园区和国际社区用地,着力引进产业链顶级配套企业和国际化人才;加快建设武汉国际微电子学院,组建长江芯片研究院、国家先进存储产业创新中心、存储芯片联盟、国家IP交易中心,努力打造世界级的集成电路产业创新中心。

市委副书记、常务副市长陈瑞峰,市委常委、东湖新技术开发区党工委书记程用文,市政府秘书长刘志辉参加调研。(记者邵澜 肖娟)

(责编:关喜艳、周恬)

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